前尔必达CEO坂本幸雄加盟,紫光DRAM业务加速突破!
收藏


11月15日下午,紫光集团宣布正式,任命前尔必达CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO,负责拓展紫光在日本市场的业务。


紫光集团董事长兼CEO赵伟国表示:“对于以创新驱动快速发展的紫光集团来说,人才建设尤为重要。坂本幸雄这样世界级人才的加入无疑将增强紫光集团的创新实力。希望有更多优秀的人才能够参与到紫光集团的发展大业中来。


赵伟国同时强调,坂本幸雄的到来是紫光集团全球发展本地化战略的体现。希望紫光集团在全球各地的分公司,充分利用本地的人才,更好地服务本地的客户,并为本地市场的发展做出贡献。


坂本幸雄表示:“我非常荣幸加入紫光集团,紫光集团近年来的迅猛发展,以及形成的产业优势是我可以一展身手的大舞台。我将利用自己过往在专业领域的经验,结合紫光集团的发展战略,全力拓展日本市场,并助力紫光集团的全球化发展。


助力紫光发展DRAM业务?


虽然紫光集团在公告中宣布,坂本幸雄担任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO,主要负责拓展紫光在日本市场的业务。但是,从坂本幸雄过往的履历来看,紫光集团引入坂本幸一个重要原因可能是为了加速发展其DRAM业务。


资料显示,坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验,在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力,曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事,以及曾经的存储大厂尔必达存储社长、代表董事兼CEO。


尔必达于2012年倒闭并由美光并购后,尔必达原社长坂本幸雄就与尔必达研发团队一些成员,另起炉灶新成立兆基科技(SKT),除了网罗台湾的力晶科技等DRAM部分人马加入。


2016年2月,有日本媒体爆出,为了继续开发DRAM先进技术,坂本幸雄领导的兆基科技可能将与合肥市政府合作,将往中国市场需求的DRAM发展,由合肥市政府分工负责生产制造事宜,第一步是设计物联网科技所需的低耗电DRAM芯片,预定最快两年后开始投产。届时12英寸晶圆月产能高达10万片,将会成为国内最大的内存厂。


2016年3月,日经新闻报道称兆基科技已经与合肥市政府正式签约。初期投资额8000亿日圆(460亿人民币),将聘工程师一千人。但是之后,却没有了下文。有观点认为,如果坂本幸雄领导的DRAM团队的技术来源是尔必达,那么必然会受到美光的打击,因为美光已经收购了尔必达,所以这可能是双方最终没有合作的原因。



2016年5月,国产DRAM厂商长鑫存储技术有限公司在合肥的成立,国内存储厂商兆易创新参与了对长鑫存储的投资合作。但是,外界依然怀疑长鑫存储的DRAM技术来源是与有着尔必达基因的坂本幸雄领导的DRAM团队有关。


不过,在今年5月15日的GSA Memory+论坛上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明首次披露了长鑫存储的DRAM技术来源。朱一明强调长鑫存储通过与奇梦达的合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。



那么问题来了,传闻中的坂本幸雄的DRAM研发团队去哪了?


值得注意的是,今年6月30日晚间,紫光集团发布公告称,决定组建紫光集团DRAM事业群,全力加速发展国产内存。随后,在今年8月底,紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议,宣布在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂,预计今年底动工,2021年正式量产内存。


据知情人透露,紫光集团早在2015年即开始布局DRAM,延揽高启全加入紫光集团就是布局的开始,在高启全加入紫光集团的同时,紫光国微(原名同方国芯)收购了任奇伟团队所创办的公司(现在的西安紫光国芯),任奇伟团队的前身是奇梦达公司的西安研发中心,任奇伟团队一直从事DRAM的研发工作,目前团队人数约500人。也就是说,紫光集团的DRAM技术来源也是奇梦达。


从紫光国微的年报披露情况看,该团队的DRAM产品销售收入每年约在5~6亿人民币之间,其产品自行设计,在境外代工。2015年,紫光集团还试图通过收购美光进入DRAM和3D NAND领域,但收购美光受到美国政府的阻击,未能如愿以偿。


据知情人透露,紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台,聚集了大量的3D NAND和DRAM的工艺研发人员,工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。


在紫光集团大力发展DRAM技术的情况下,拥有着30余年的DRAM行业从业经验前尔必达CEO坂本幸雄的加入显然并不是简单的为紫光拓展在日本市场的业务,帮助紫光加快DRAM技术的研发可能才是关键。


另外需要指出的是,奇梦达的DRAM技术主要以沟槽式DRAM技术为主,而当前美光、三星等主流的DRAM大厂都采用的是堆栈式技术。


在沟槽式DRAM的制造中,必须先在基板蚀刻出沟槽,然后在沟槽中沉积出介电层,以形成电容器,然后在电容器上方再制造出栅极,构成完整的DRAM Cell。这种工艺最大的技术挑战有二,一是随着线宽越来越细,沟槽的宽深比跟着增加,如何蚀刻出这种沟槽,是相当大的技术挑战。其次,在进行沉积工艺时,由于沟槽的开口越来越细,要在沟槽里面沉积足够的介电材料,形成容值够高的电容器,也越来越难。相较之下,堆栈式DRAM则没有上述问题,因此随着工艺节点越往前推进,沟槽式DRAM的采用者越来越少。


当然,这并不是说长鑫存储、紫光集团的技术来源于奇梦达,就一定会完全沿着奇梦达的老路来走。但是,目前堆栈式DRAM技术已经相当成熟,要想绕开美光、三星的专利围堵,显然是非常的困难。此前,另外一家国产DRAM厂商——福建晋华就因为选择的就是堆栈式DRAM路线,就受到了美光的专利打击而导致最终的停摆。


所以如何在奇梦达技术的基础上,走出新的技术路线,同时规避美光等DRAM技术大厂的专利围堵,成为了国产DRAM厂商突围的关键。而作为拥有着30余年的DRAM行业从业经验的前尔必达CEO坂本幸雄,在堆栈式DRAM技术领域应该是拥有着极为丰富的技术积累,因为之前的尔必达就是走的堆栈式DRAM技术路线。


编辑:芯智讯-浪客剑

往期精彩文章

挑战华为Mate X、三星Fold,翻盖折叠屏的摩托罗拉Razr来了!

小米CC9 Pro拆解:后置五摄成本是骁龙855数倍!

加码化合物半导体!三安光电拟募资70亿元,格力斥20亿力挺!

贴牌“美国制造”,国产安防设备竟被装上了美航母!

打破国外垄断!国产PHY芯片公司裕太车通获华为投资

只要0.5美元!Dialog发布尺寸最小、效率最高的蓝牙SoC芯片

半导体原材料行业全景剖析:美日占据主导,国产自给率不足15%!

苹果AirPods Pro拆解:内部极其复杂,首次采用纽扣电池!

挑战华为海思,星宸科技欲夺下IPC芯片市场第一宝座!

行业交流、合作请加微信:icsmart01
芯智讯官方交流群:221807116

    公众号
    关注公众号订阅更多技术干货!